特色
- Q1 N信道最大值。RDS（开启）=3.8 mΩ，VGS=10 V，ID=20 A最大值。RDS（开启）=4.7 mΩ，VGS=4.5 V，ID=18 A
- Q2 N信道最大值。RDS（开启）=1.2 mΩ，VGS=10 V，ID=41 A最大值。RDS（开启）=1.4 mΩ，VGS=4.5 V，ID=37 A
- 低电感封装缩短了上升/下降时间，从而降低了开关损耗
- MOSFET集成可实现优化布局，降低电路电感并减少开关节点振铃
- 符合RoHS
应用
- 计算
- 通信
- 通用负载点
FDPC8014S
- 描述:场效应管类型: 2 N通道（双通道）不对称 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A、41A 供应商设备包装: Power Clip 56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 21.51141 | 21.51141 |
| 10+ | 19.31681 | 193.16814 |
| 100+ | 15.52732 | 1552.73290 |
| 500+ | 12.75749 | 6378.74950 |
| 1000+ | 11.59769 | 11597.69400 |
| 3000+ | 11.59769 | 34793.08200 |
- 库存: 0
- 单价: ¥21.51141
-
数量:
- +
- 总计: ¥21.51
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 漏源电压标 (Vdss) 25伏
- 包装/外壳 8-PowerWDFN
- 场效应管类型 2 N通道（双通道）不对称
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 35nC @ 10V
- 供应商设备包装 Power Clip 56
- 导通电阻 Rds(ON) 3.8毫欧姆 @ 20A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2375华氏度@13伏
- 最大功率 2.1瓦、2.3瓦
- 漏源电流 (Id) @ 温度 20A、41A
FDPC8014S 产品详情
该器件包括双封装中的两个专用N沟道MOSFET。开关节点已内部连接，以实现同步降压转换器的轻松放置和布线。控制MOSFET（Q1）和同步SyncFETTM（Q2）被设计为提供最佳功率效率。
FDPC8014S 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDP-1500 | 松下工业自动化 (Panasonic) | PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1.5M | ¥220.18416 |
 | FDP-N500 | 松下工业自动化 (Panasonic) | PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 500MM | ¥169.48386 |
 | FDP-500 | 松下工业自动化 (Panasonic) | PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 500MM | ¥169.48386 |
 | FDP-1000 | 松下工业自动化 (Panasonic) | PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1M | ¥203.52549 |
| FDP-N1000 | 松下工业自动化 (Panasonic) | PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1M | ¥203.52549 |
 | FDP-N1500 | 松下工业自动化 (Panasonic) | PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1.5M | ¥220.18416 |
 | FDPC8011S | 安盛美 (onsemi) | MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN | ¥13.03722 |
| FDPC3D5N025X9D | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 74A 供应商设备包装: 12-PQFN（3.3x3.3） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,377.19398 |
 | FDPF320N06L | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc） 最大功耗: 26W（Tc） 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.66347 |
 | FDP18N50 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Tc） 最大功耗: 235W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥21.36656 |
FDPC8014S所属分类：场效应晶体管阵列，FDPC8014S 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDPC8014S价格参考￥21.511413，你可以下载 FDPC8014S中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDPC8014S规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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