特色
- Q1：N信道最大值。RDS（开启）=68 mΩ，VGS=4.5 V，ID=4 A最大值。RDS（开启）=100 mΩ，VGS=2.5 V，ID=3 A
- Q2:N信道最大值。RDS（开启）=100 mΩ，VGS=4.5 V，ID=4 A最大值。RDS（开启）=150 mΩ，VGS=2.5 V，ID=2 A
- 低栅极电荷
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDMC6890NZ
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: MicroFET 3x3毫米 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
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| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 3000+ | 3.54902 | 10647.06300 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.54902
-
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4A
- 包装/外壳 6-WDFN Exposed Pad
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
- 导通电阻 Rds(ON) 68毫欧姆 @ 4A, 4.5V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3.4nC @ 4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 270皮法@10V
- 最大功率 1.92W、1.78W
- 供应商设备包装 MicroFET 3x3毫米
FDMC6890NZ 产品详情
FDMC6890NZ是一种紧凑的单封装解决方案，适用于具有优异热特性和开关特性的DC-DC转换器。Power 33封装内部具有两个N沟道MOSFET，具有低导通电阻和低栅极电荷，以最大化功率转换和开关效率。Q1开关还集成了来自未箝位电压输入的栅极保护。
FDMC6890NZ 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDMS8350L | FDMS8350L - N-CHANNEL POWERTRENC | ¥18.45513 | |
| FDMS86252L | FDMS86252 - N-CHANNEL SHIELDED G | ¥5.49287 | |
| FDMS8350LET40 | FDMS8350LET40 - N-CHANNEL POWERT | ¥14.31219 | |
| FDMS86104 | N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE | ¥7.81299 | |
| FDMS3672 | FDMS3672 - N-CHANNEL ULTRAFET TR | ¥8.85082 | |
 | FDMA6676PZ | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 2.4W（Ta） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.78041 |
 | FDMS86568-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W（Tj） 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.80017 |
 | FDMS8558S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta), 90A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、78W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.59209 |
 | FDMS9410L-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥166.47081 |
| FDMS2D4N03S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 163A（Tc） 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.60601 |
FDMC6890NZ所属分类：场效应晶体管阵列，FDMC6890NZ 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDMC6890NZ价格参考￥3.549021，你可以下载 FDMC6890NZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDMC6890NZ规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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