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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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NTUD3171PZT5G
NTUD3171PZT5G
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安 供应商设备包装: SOT-963 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.66587

36939

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,185.61750

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NTZD3156CT1G
NTZD3156CT1G
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 540毫安, 430毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.72429

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,140.75675

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ECH8668-TL-H
ECH8668-TL-H
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A, 5A 供应商设备包装: 8-ECH 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥6.73590

103

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.73590

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NTZD3156CT2G
NTZD3156CT2G
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 540毫安, 430毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.72093

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.72093

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NTZD3156CT5G
NTZD3156CT5G
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 540毫安, 430毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.05315

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.05315

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NVMFD6H846NLWFT1G
NVMFD6H846NLWFT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.4A (Ta), 31A (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.39572

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,593.57400

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FDS6930B
FDS6930B
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.57703

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.57703

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FDW2512NZ
FDW2512NZ
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥917.47263

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥917.47263

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ECH8667-TL-H
ECH8667-TL-H
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A 供应商设备包装: 8-ECH 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥6.88076

160

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.88076

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FDS4501H
FDS4501H
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30V, 20V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.3A, 5.6A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.61905

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.61905

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FDW9926A
FDW9926A
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.55775

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.55775

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NVMFWD024N06CT1G
NVMFWD024N06CT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta), 24A (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.56810

6000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,852.14550

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FDW2511NZ
FDW2511NZ
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.1A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥561.83175

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥561.83175

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FDW9926NZ
FDW9926NZ
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.83682

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.83682

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FDW2510NZ
FDW2510NZ
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.4A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.09948

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.09948

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FDW2501NZ
FDW2501NZ
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1,364.83759

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,364.83759

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NTHD4508NT1G
NTHD4508NT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.24290

1000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.24290

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NVMFD016N06CT1G
NVMFD016N06CT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta)、32A(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.61373

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,920.59050

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FDW2516NZ
FDW2516NZ
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.67795

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.67795

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EFC4621R-TR
EFC4621R-TR
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,2.5V驱动 供应商设备包装: EFCP1616-4CE-022 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.63062

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥3,527.66276

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