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NTHD4508NT1G

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 7.24290 7.24290
10+ 6.37375 63.73752
100+ 4.88606 488.60600
500+ 3.86249 1931.24700
1000+ 3.08996 3089.96600
3000+ 3.07243 9217.31400
  • 库存: 1000
  • 单价: ¥7.24290
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.24
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@250A.
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4nC @ 4.5V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3A
  • 供应商设备包装 ChipFET
  • 导通电阻 Rds(ON) 75毫欧姆 @ 3.1A, 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 10V时为180皮法
  • 最大功率 1.13W

NTHD4508NT1G 产品详情

功率MOSFET 20 V,4.1 A,双N沟道,ChipFET™

特色

  • 低RDS(开启)和快速切换
  • 无引线ChipFET封装的占地面积比TSOP-6小40%
  • 在需要传热的地方,具有优异的热性能。

应用

  • DC-DC降压/升压转换器
  • 便携式设备中的电池和低压侧开关
  • 水平移动
  • MP3播放器
  • 手机
  • 偿债准备金率
  • PDA


(图片:引出线)

NTHD4508NT1G所属分类:场效应晶体管阵列,NTHD4508NT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTHD4508NT1G价格参考¥7.242900,你可以下载 NTHD4508NT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTHD4508NT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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