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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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操作
FDW2507N
FDW2507N
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.60601

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.60601

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EMH2417R-TL-H
EMH2417R-TL-H
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门,2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A 供应商设备包装: SOT-383FL,EMH8 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.01401

130642

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,250.07931

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VEC2415-TL-W
VEC2415-TL-W
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,4V驱动 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A 供应商设备包装: SOT-28FL/vc8 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥5.43218

57

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.43218

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FDW2521C
FDW2521C
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A, 3.8A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.15359

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.15359

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NDS8961
NDS8961
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.54470

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.54470

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EFC4627R-A-TR
EFC4627R-A-TR
MOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4

¥638.54855

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥638.54855

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EFC4627R-TR
EFC4627R-TR
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门,2.5V驱动 供应商设备包装: 4-EFCP (1.01x1.01) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.72429

17921

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,230.08891

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FDW2506P
FDW2506P
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.86627

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.86627

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EMH2308-TL-H
EMH2308-TL-H
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,1.8V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A 供应商设备包装: 8-EMH 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥13.50077

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.50077

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FDMB3900N
FDMB3900N
INTEGRATED CIRCUIT

¥141.72907

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥141.72907

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FDW2502P
FDW2502P
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.41817

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.41817

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FDMC0205
FDMC0205
INTEGRATED CIRCUIT

¥4.93966

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.93966

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MCH6605-TL-E
MCH6605-TL-E
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,4V驱动 漏源电压标 (Vdss): 50V 漏源电流 (Id) @ 温度: 140毫安 供应商设备包装: 6-MCPH 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.15886

48000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,229.65434

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FDG6318PZ
FDG6318PZ
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.74607

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.74607

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NTMFD024N06CT1G
NTMFD024N06CT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta), 24A (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.53263

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,298.95100

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NDS9933A
NDS9933A
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.16663

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.16663

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FDMC0228
FDMC0228
INTEGRATED CIRCUIT

¥14.58720

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.58720

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MCH6606-TL-E
MCH6606-TL-E
MOSFET PCH DUAL MCPH6

¥10.06763

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.06763

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FDMA3028N
FDMA3028N
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.49933

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.49933

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NTUD3169CZT5G
NTUD3169CZT5G
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安、200毫安 供应商设备包装: SOT-963 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.01546

8500

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.01546

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