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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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FDC6561AN-NB5S007A
FDC6561AN-NB5S007A
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.67556

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.67556

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NTMFD0D9N02P1E
NTMFD0D9N02P1E
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30V, 25V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、30A(Ta 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.65042

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.65042

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FDS8984-F40
FDS8984-F40
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.05123

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.05123

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FDS8978-F40
FDS8978-F40
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.27379

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.27379

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FDML7610AS
FDML7610AS
DUAL N-CH. ER TRENCH MO

¥6.35927

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.35927

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FDMC007N30D
FDMC007N30D
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A 供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.31533

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.31533

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NVMFD5C674NLWFT1G
NVMFD5C674NLWFT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta)、42A(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.61905

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.61905

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NTD4906NAT4H
NTD4906NAT4H
NTD4906N - 30V, 54A, N-CHANNEL

¥3.33173

57500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,185.61750

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NVMFD5C462NT1G
NVMFD5C462NT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.6A(Ta)、70A(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.15407

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.15407

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NVMFD5C462NLWFT1G
NVMFD5C462NLWFT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Ta)、84A(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.67508

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.67508

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FDML7610S
FDML7610S
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A、17A 供应商设备包装: 8-MLP (3x4.5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.10965

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.10965

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FW217-NMM-TL-E
FW217-NMM-TL-E
N-CHANNEL MOSFET

¥3.69388

104000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,175.69473

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FDMD8240LET40
FDMD8240LET40
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A 供应商设备包装: 12-Power3.3x5 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥21.87356

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.87356

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NTMFD4C85NT3G
NTMFD4C85NT3G
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.4A,29.7A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.92517

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.92517

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NTMFD4C86NT3G
NTMFD4C86NT3G
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.3A、18.1A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.16567

795000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,180.04047

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FDMD8280
FDMD8280
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A 供应商设备包装: 12-Power3.3x5 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥24.98801

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥24.98801

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NTMFD4C87NT3G
NTMFD4C87NT3G
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.7A、14.9A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.82233

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.82233

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NTMFD4C88NT3G
NTMFD4C88NT3G
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.7A、14.2A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.28636

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.28636

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NVDD5894NLT4G
NVDD5894NLT4G
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A 供应商设备包装: DPAK-5 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.35975

2500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,181.41662

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SSD2009ATF
SSD2009ATF
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 50V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.00777

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.00777

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