9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SSD2009ATF，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。SSD2009ATF价格参考1.934美元。onsemi SSD2009ATF封装/规格：MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC。您可以下载SSD2009ATF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SSD2007ASTF是MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC，它们设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能。此外，漏极到源极电压Vdss为50V，该器件采用逻辑电平门FET特性，该器件具有2A电流连续漏极Id 25°C，最大Id Vgs的Rds为300 mOhm@1.5A，10V，Vgs最大Id为4V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为15nC@10V。
SSD2007ATF是MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC，包括4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SOP供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于300 mOhm@1.5A，10V，提供2W等功率最大功能，包装设计为在磁带和卷轴（TR）中工作，以及8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供15nC@10V栅极电荷Qg Vgs，该器件具有2 N通道（双）FET类型，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为50V，电流连续漏极Id 25°C为2A。
SSD2009是由FAIRCHILD制造的MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC。SSD2009采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC。
