NVDD5894NLT4G
- 描述:场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A 供应商设备包装: DPAK-5 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
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- 库存: 2500
- 单价: ¥5.35975
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,181.42
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 安装类别 表面安装
- 部件状态 过时的
- 场效应管特性 标准
- 场效应管类型 2 N通道(双)公共漏极
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 包装/外壳 TO-252-5,DPak(4根引线+接线片),TO-252AD
- 漏源电流 (Id) @ 温度 14A
- 导通电阻 Rds(ON) 10欧姆@50A,10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 41nC @ 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2103皮法@25V
- 最大功率 3.8瓦
- 供应商设备包装 DPAK-5
NVDD5894NLT4G所属分类:场效应晶体管阵列,NVDD5894NLT4G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NVDD5894NLT4G价格参考¥5.359746,你可以下载 NVDD5894NLT4G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NVDD5894NLT4G规格参数、现货库存、封装信息等信息!
安盛美 (onsemi)
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