9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FW217-NMM-TL-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FW217-NMM-TL-E参考价格为0.51000美元。onsemi FW217-NMM-TL-E封装/规格：N沟道MOSFET。您可以下载FW217-NMM-TL-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FW217A-TL-2W，带销细节，包括胶带和卷轴（TR）包装，它们设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳，数据表说明中显示了用于Si的技术，其工作温度范围为150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-SOIC供应商器件封装，该器件也可以用作2 N通道（双）FET类型。此外，最大功率为2.2W，该器件提供35V漏极到源极电压Vdss，该器件具有470pF@20V的输入电容Cis Vds，FET特性为逻辑电平门，4.5V驱动，电流连续漏极Id 25°C为6A，最大Id Vgs上的Rds为39mOhm@6A，10V，栅极电荷Qg Vgs为10nC@10V。
带有用户指南的FW216A-TL-2W，包括8-SOIC供应商设备包，它们设计为在64mOhm@4.5A、10V Rds On Max Id Vgs下工作，数据表说明中显示了2.2W中使用的功率最大值，该设备提供封装功能，如磁带和卷轴（TR）、，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），其工作温度范围为150°C（TJ），该器件也可以用作表面安装型。此外，输入电容Ciss Vds为280pF@10V，该器件提供5.6nC@10V栅极电荷Qg Vgs，该器件具有2 N通道（双通道）FET类型，FET特性为逻辑电平门，4V驱动，漏极到源极电压Vdss为35V，电流连续漏极Id 25°C为4.5A。
FW217A-TL-2WX是MOSFET NCH+NCH 4.5V DRIVE系列，包括双配置，它们设计为以6 a Id连续漏电流运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供2通道等多个通道功能，封装外壳设计为在SOIC-8中工作，以及卷筒封装，该器件也可以用作39mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，该系列为FW217A-TL-2WX，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为2 N沟道，单位重量为0.019048盎司，Vds漏极-源极击穿电压为35 V。
FW216A-TL-2WX具有EDA/CAD型号，包括SOIC-8封装外壳，它们设计为使用硅技术操作。数据表说明中显示了用于卷盘的封装，卷盘提供晶体管极性特性，如N沟道，系列设计为在FW216A-TL-2WX中工作，以及64 mOhms Rds漏极-源极电阻，该器件也可以用作4.5A Id连续漏电流。此外，Vds漏极-源极击穿电压为35 V，该设备的单位重量为0.019048盎司。
