NVMFD5C462NLWFT1G

Name: NVMFD5C462NLWFT1G
Brand: 安盛美 (onsemi)
SKU: 7121381-NVMFD5C462NLWFT1G
Price: 12.675075 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta）、84A（Tc）供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 安盛美 (onsemi)
交期:5-7 工作日

渠道:

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起订量: 1

数量	单价	合计
1+	22.74270	22.74270
10+	20.41049	204.10492
100+	16.40661	1640.66170
500+	13.47961	6739.80800
1500+	12.25426	18381.39450

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规格参数

制造厂商安盛美 (onsemi)
部件状态可供货
安装类别表面安装
场效应管特性标准
场效应管类型 2个N通道（双通道）
漏源电压标 (Vdss) 40伏
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
包装/外壳 8-PowerTDFN
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11nC @ 4.5V
供应商设备包装 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1300皮法@25V
漏源电流 (Id) @ 温度 18A（Ta）、84A（Tc）
导通电阻 Rds(ON) 4.7毫欧姆 @ 10A, 10V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@40A.
最大功率 3W (Ta), 50W (Tc)

NVMFD5C462NLWFT1G 产品详情

ON Semiconductor NVMFD5C功率MOSFET通过AEC-Q101认证，具有PPAP能力，适用于汽车应用。NVMFD5C MOSFET具有低导通电阻以最小化传导损耗，以及低QG和电容以最小化驱动器损耗。这些功率MOSFET经过100%雪崩测试，可提供用于增强光学检查的可湿侧选项。

特色

低导通电阻
最小传导损耗
高电流能力
强大的负载性能
100%雪崩测试
防止电压过应力故障
AEC-Q101合格
适用于汽车应用

应用

电磁阀驱动器
低端/高端驱动器
汽车发动机控制器
防抱死制动系统

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型号	制造商	描述	价格
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NVMFD5C466NLWFT1G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、52A（Tc）供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥11.29892
NVMFD5C672NLWFT1G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta）、49A（Tc）供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥9.92277
NVMFD5C478NLT1G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 10.5A（Ta）、29A（Tc）供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥7.31533
NVMFD5C462NLT1G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta）、84A（Tc）供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥11.29892
NVMFD5483NLWFT1G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.4A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥3.94014
NVMFS5834NLWFT3G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、75A（Tc）最大功耗: 3.6W (Ta), 107W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥9.11157
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NVM100026	东电化 - Lambda (TDK)	种类: 开放式输出数量: one 电压输出1: 24伏功率（瓦特）: 180瓦效率值: 90% 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（带减额）	¥1,247.22738

NVMFD5C462NLWFT1G所属分类：场效应晶体管阵列，NVMFD5C462NLWFT1G 由安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVMFD5C462NLWFT1G价格参考￥12.675075，你可以下载 NVMFD5C462NLWFT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVMFD5C462NLWFT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！