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NTMFD0D9N02P1E
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NTMFD0D9N02P1E

  • 描述:场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30V, 25V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、30A(Ta 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥3.65042
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.65
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管特性 标准
  • 包装/外壳 8-PowerWDFN
  • 场效应管类型 2 N通道(双通道)不对称
  • 供应商设备包装 8-PQFN (5x6)
  • 漏源电压标 (Vdss) 30V, 25V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 14A(Ta)、30A(Ta
  • 导通电阻 Rds(ON) 3毫欧姆 @ 20A, 10V, 720欧姆 @ 41A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@340A、 2V@1毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 9nC @ 4.5V, 30nC @ 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 15伏时为1400华氏度,13伏时为5050华氏度
  • 最大功率 960mW(Ta),1.04W(Ta)

NTMFD0D9N02P1E 产品详情

双N沟道功率MOSFET,集成肖特基30 V,高侧18 A/低侧30 A,双N沟道SO8FL

特色

  • 共封装功率级解决方案,最大限度地减少电路板空间
  • 集成肖特基的低端MOSFET
  • 最小化寄生电感
  • 优化设备以降低功耗
  • 符合RoHS

应用

  • DC−DC转换器
  • 系统电压轨
  • 负载点
NTMFD0D9N02P1E所属分类:场效应晶体管阵列,NTMFD0D9N02P1E 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTMFD0D9N02P1E价格参考¥3.650422,你可以下载 NTMFD0D9N02P1E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTMFD0D9N02P1E规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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