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NTMFS5C460NL

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Ta)、78A(Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 50W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1500

  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.54902
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5,323.53
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 21A(Ta)、78A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 4.5毫欧姆 @ 35A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@40A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 23 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1300 pF@20 V
  • 最大功耗 3.6W (Ta), 50W (Tc)
  • 供应商设备包装 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN, 5 Leads

NTMFS5C460NL 产品详情

ON Semiconductor的NTMFS5C4xx和NVMFS5C4xx40V功率MOSFET能够提供极低的导通状态电阻RDS(ON)值,从而最大限度地减少传导损耗并提高整体操作效率水平。它们还具有极低的栅极电容(Cis),低至2164皮法(pF),这确保了驱动器损耗尽可能低。这些设备的额定工作温度高达175˚C,从而为工程师的设计提供了更大的热余量。

特色

  • 低RDS(打开)
  • 最小化传导损耗
  • 低输入电容
  • 最小化开关损耗
  • 最高结温175°C
  • 为热挑战应用提供更大的设计裕度
  • 符合RoHS

应用

  • 加载点模块
  • 高性能DC-DC转换器
  • 二级合成。整改
  • 直流电机驱动
  • 网通、电信
  • 服务器
  • 手持式电动工具
NTMFS5C460NL所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTMFS5C460NL 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTMFS5C460NL价格参考¥3.549021,你可以下载 NTMFS5C460NL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTMFS5C460NL规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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