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NTMFS5C442NLTWFT1G
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NTMFS5C442NLTWFT1G

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起订量: 324

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥6.70548
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,172.57
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规格参数

  • 场效应管特性 -
  • 场效应管类型 -
  • 技术 -
  • 漏源电压标 (Vdss) -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 最大功耗 -
  • 工作温度 -
  • 安装类别 -
  • 供应商设备包装 -
  • 包装/外壳 -
  • 部件状态 过时的
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)

NTMFS5C442NLTWFT1G 产品详情

功率MOSFET 40 V,0.7 mΩ,378 A,单N沟道

特色

  • 低RDS(打开)
  • 最小化传导损耗
  • 低输入电容
  • 最小化开关损耗
  • 最高结温175C
  • 为热挑战应用提供更大的设计裕度

应用

  • 加载点模块
  • 高性能DC-DC转换器
  • 二级合成。整改
  • 直流电机驱动
  • 网通、电信
  • 服务器
  • 手持式电动工具
NTMFS5C442NLTWFT1G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTMFS5C442NLTWFT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTMFS5C442NLTWFT1G价格参考¥6.705477,你可以下载 NTMFS5C442NLTWFT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTMFS5C442NLTWFT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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