NTMD6P02R2
- 描述:MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 85
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 85+ | 1.66586 | 141.59869 |
- 库存: 0
- 单价: ¥1.66587
-
数量:
- +
- 总计: ¥141.60
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规格参数
- 产品规格 -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 过时的
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTMS4N01R2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET PWR N-CHAN 4.2A 20V 8SOIC | ¥1.30372 |
 | NTMD3P03R2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 30V 8SOIC | ¥1.59344 |
 | NTMSD3P303R2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET/DIODE SCHOTTKY P-CH 8SOIC | ¥1.44858 |
| NTMD6P02R2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC | ¥1.66587 |
 | NTMFS4709NT1G | 安盛美 (onsemi) | NFET S08FL 30V 94A .003R | ¥1.81073 |
| NTMFS5C442NLTWFT1G | 安盛美 (onsemi) | NTMFS5C442NLT - SINGLE N-CHANNEL | ¥6.70548 |
| NTMFS4C13NBT1G | 安盛美 (onsemi) | NTMFS4C13N - MOSFET SO8FL 30V 38 | ¥1.50652 |
| NTMFS5C460NL | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Ta）、78A（Tc） 最大功耗: 3.6W (Ta), 50W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.54902 |
 | NTMFS4C55NT1G | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 30V 78A SO8FL | ¥3.83874 |
 | NTMFS4921NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc) 最大功耗: 870mW (Ta), 38.5W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.86915 |
NTMD6P02R2所属分类：未分类，NTMD6P02R2 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTMD6P02R2价格参考￥1.665867，你可以下载 NTMD6P02R2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTMD6P02R2规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
