特色
- 低RDS（打开）
- 提高系统效率
- 低电容
- 将驾驶员损失降至最低
- 优化门电荷
- 最小化开关损耗
应用
- DC-DC转换器、电源负载开关、负载点、电机控制
- PC、服务器、游戏控制台、HDD、打印机以及其他计算和消费产品
（图片：引出线）
NTMFS4921NT1G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc) 最大功耗: 870mW (Ta), 38.5W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1934
- 库存: 0
- 单价: ¥0.86915
-
数量:
- +
- 总计: ¥1,680.93
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 部件状态 过时的
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 供应商设备包装 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- 包装/外壳 8-PowerTDFN, 5 Leads
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 11.5V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 漏源电流 (Id) @ 温度 8.8A (Ta), 58.5A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 6.95毫欧姆 @ 30A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11.5伏时25 nC
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1400 pF@12 V
- 最大功耗 870mW (Ta), 38.5W (Tc)
NTMFS4921NT1G 产品详情
功率MOSFET 30V 58.5A 6.95 mOhm单N沟道SO-8FL
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| NTMFS4921NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc) 最大功耗: 870mW (Ta), 38.5W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.86915 |
NTMFS4921NT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTMFS4921NT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTMFS4921NT1G价格参考￥0.869148，你可以下载 NTMFS4921NT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTMFS4921NT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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