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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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操作
MMDF2P02ER2
MMDF2P02ER2
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A 供应商设备包装: 8-SOIC

¥4.27331

4104

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,166.56868

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VEC2616-TL-W-Z
VEC2616-TL-W-Z
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门,4V驱动 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A,2.5A 供应商设备包装: SOT-28FL/vc8 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥9.61857

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.61857

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NVMFD5C462NWFT1G
NVMFD5C462NWFT1G
40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA

¥6.46936

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9,704.03700

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FDS6900AS
FDS6900AS
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.9A, 8.2A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.95318

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.95318

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MMDF2P02ER2G
MMDF2P02ER2G
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.27331

5114

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,166.56868

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NVMFD5875NLT3G
NVMFD5875NLT3G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.37087

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.37087

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FDG6304P
FDG6304P
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 410毫安 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.83874

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.83874

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NTJD1155LT2G
NTJD1155LT2G
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 8V 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.03327

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,099.81600

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NTHD3100CT1
NTHD3100CT1
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A、3.2A 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.98024

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.98024

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NVMFD5875NLWFT3G
NVMFD5875NLWFT3G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥15.10869

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.10869

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NVMFD5875NLWFT1G
NVMFD5875NLWFT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥18.44042

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.44042

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NTHD3100CT3
NTHD3100CT3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A、3.2A 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.82281

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.82281

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MCH6663-TL-W
MCH6663-TL-W
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门,4V驱动 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A、1.5A 供应商设备包装: SC-88FL/MCPH6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.69388

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.69388

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FDMD8530
FDMD8530
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.26515

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.26515

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CPH6635-TL-H
CPH6635-TL-H
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30V, 20V 漏源电流 (Id) @ 温度: 400毫安, 1.5A 供应商设备包装: 6-CPH 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.15886

398918

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,229.65434

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NTHD3100CT3G
NTHD3100CT3G
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A、3.2A 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.27091

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.27091

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NTMFD4902NFT3G
NTMFD4902NFT3G
场效应管类型: 2 N通道(双通道),肖特基 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.3A,13.3A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.62276

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥33,113.81500

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FDC6312P
FDC6312P
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.91117

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.91117

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NTHD4401PT3
NTHD4401PT3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.1A 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥24.68380

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥24.68380

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NTMD5836NLR2G
NTMD5836NLR2G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A,5.7A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.96959

4875

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,197.49586

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