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NTHD4102PT3G是MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET，包括磁带和卷轴（TR）交替封装封装，它们设计为与8-SMD扁平引线封装外壳一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计为在CHIPFET？中工作？，除了2 P通道（双）FET类型外，该器件还可以用作1.1W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供750pF@16V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET功能的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为2.9A，最大Id Vgs上的Rds为80mOhm@2.9A，4.5V，Vgs th最大Id为1.5V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为8.6nC@4.5V。
NTHD4401PT1是MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET，包括1.2V@250μ？供应商设备包，Rds On Max Id Vgs如数据表注释所示，用于155 mOhm@2.1A，4.5V，提供1.1W等最大功率特性。包装设计用于磁带和卷轴（TR）以及8-SMD，扁平引线封装外壳，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供300pF@10V输入电容Cis-Vds，器件具有6nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为2.1A。
NTHD4401PT1G是MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET，包括2.1A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在6nC@4.5V下工作，除了300pF@10V输入电容Cis Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用8-SMD扁平引线封装盒，该器件具有切割带（CT）封装，最大功率为1.1W，最大Id Vgs的Rds为155 mOhm@2.1A，4.5V，供应商器件封装为ChipFET？，Vgsth最大Id为1.2V@250μA。
