特色
- 互补N沟道和P沟道MOSFET
- 小尺寸，比TSOP-6封装小40%
- 无引线SMD封装提供卓越的热特性
- 低导通电阻沟槽P沟道
- 用于测试开关的低栅电荷N沟道
应用
- DC-DC转换电路
- 需要电平转换的负载开关应用
- 驱动小型无刷直流电机
- 非常适合便携式电池供电产品中的电源管理应用
（图片：引出线）
NTHD3100CT3G
- 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A、3.2A 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥9.27091
-
数量:
- +
- 总计: ¥9.27
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@250A.
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 N和P通道
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 部件状态 过时的
- 最大功率 1.1瓦
- 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead
- 供应商设备包装 ChipFET
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 165pF @ 10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2.9A、3.2A
- 导通电阻 Rds(ON) 80毫欧姆 @ 2.9A, 4.5V
NTHD3100CT3G 产品详情
功率MOSFET互补，20 V，+3.9 A/-4.4 A ChipFET™
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NTHD3100CT3G所属分类：场效应晶体管阵列，NTHD3100CT3G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTHD3100CT3G价格参考￥9.270912，你可以下载 NTHD3100CT3G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTHD3100CT3G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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