9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTMD5836NLR2G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTMD5836NLR2G参考价格为0.41000美元。onsemi NTMD5836NLR2G封装/规格：MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL。您可以下载NTMD5836NLR2G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如NTMD5836NLR2G价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
NTMD4N03R2G是MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC，包括NTMD4N3系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的8-SOIC，配置为双双漏极，FET类型为2 N通道（双），功率最大值为2W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为400pF@20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4A，最大Id Vgs上的Rds为60mOhm@4A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为16nC@10V，Pd功耗为2W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为10 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为4 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为48 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为7ns，正向跨导最小值为6S，信道模式为增强。
NTMD4N03G带有ON制造的用户指南。NTMD4R03G可在SOP-8封装中获得，是IC芯片的一部分。
NTMD4N03R2带有ON制造的电路图。NTMD4R03R2在SOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
