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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
价格
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数量
操作
FDW2503NZ
FDW2503NZ
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥189.22801

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥189.22801

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FDMC8010A
FDMC8010A
INTEGRATED CIRCUIT

¥10.09660

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.09660

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FDD8424H_F085
FDD8424H_F085
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A、6.5A 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.46067

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.46067

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NTMFD4C87NT1G
NTMFD4C87NT1G
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.7A、14.9A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.42738

10500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,175.26016

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FDMS3686S
FDMS3686S
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A、23A 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.07003

232467

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,175.04287

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NTMFD6H852NLT1G
NTMFD6H852NLT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 295毫安 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.54915

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,323.72200

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NDS8934
NDS8934
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.13814

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.13814

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FDMS0346
FDMS0346
MOSFET

¥14.25403

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.25403

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NTMFD4C88NT1G
NTMFD4C88NT1G
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.7A、14.2A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.60265

7500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,180.25776

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FDMA3027PZ
FDMA3027PZ
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.07051

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.07051

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FDMS3606S
FDMS3606S
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A、27A 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.62897

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥16,886.89500

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FDZ2553N
FDZ2553N
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.6A 供应商设备包装: 18-BGA(2.5x4) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4,089.83386

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,089.83386

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FDMS0348
FDMS0348
MOSFET

¥4.14294

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.14294

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NTZD3152PT1H
NTZD3152PT1H
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 430毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.57943

661003

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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FDMS3615S
FDMS3615S
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A、18A 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.96383

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.96383

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FDPC1002S
FDPC1002S
MOSFET

¥4.66443

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.66443

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NDH8304P
NDH8304P
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A 供应商设备包装: SuperSOT-8. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.57463

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.57463

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NTZD3154NT1H
NTZD3154NT1H
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 540毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.57943

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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FDMS3616S
FDMS3616S
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A、18A 供应商设备包装: Power56

¥10.14006

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.14006

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FDY3000NZ
FDY3000NZ
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 600毫安 供应商设备包装: SOT-563F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.76631

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.76631

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