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FDY3000NZ

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 600毫安 供应商设备包装: SOT-563F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.18687 3.18687
10+ 2.71608 27.16088
100+ 2.02583 202.58390
500+ 1.59155 795.77750
1000+ 1.22984 1229.84400
3000+ 1.15089 3452.69100
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.76631
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.19
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 包装/外壳 SOT-563、SOT-66
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 600毫安
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.3V@250A.
  • 最大功率 446mW
  • 供应商设备包装 SOT-563F
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.1nC @ 4.5V
  • 导通电阻 Rds(ON) 700毫欧姆 @ 600毫安, 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 60皮法 @ 10V

FDY3000NZ 产品详情

PowerTrench®双N沟道MOSFET,Fairchild半导体

ON Semis PowerTrench®MOSFET经过优化的功率开关,可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷、小反向恢复和软反向恢复体二极管,有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。

特色

  • 600毫安,20伏
  • RDS(ON)=700 mΩ@VGS=4.5 V
  • RDS(开启)=850 mΩ@VGS=2.5 V
  • ESD保护二极管(注3)
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
  • 锂离子电池组
FDY3000NZ所属分类:场效应晶体管阵列,FDY3000NZ 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDY3000NZ价格参考¥3.766308,你可以下载 FDY3000NZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDY3000NZ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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