PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷（Qg）、小反向恢复电荷（Qrr）和软反向恢复体二极管，有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术，这些设备的FOM（品质因数）显著低于上一代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。
特色
- Q1 N信道最大值。RDS（开启）=0.7Ω，VGS=4.5 V，ID=600 mAMax。RDS（开启）=0.85Ω，VGS=2.5 V，ID=500 mAMax。RDS（开启）=1.25Ω，VGS=1.8 V，ID=150 mA
- Q2 P信道最大值。RDS（开启）=1.2Ω，VGS=-4.5 V，ID=-350 mAMax。RDS（开启）=1.6Ω，VGS=-2.5 V，ID=-300 mAMax。RDS（开启）=2.7Ω，VGS=-1.8 V，ID=-150 mA
- ESD保护二极管（注3）
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
- 水平移动
- 电源转换器电路
- 负载/电源切换手机、寻呼机
