9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDMS3616S，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FDMS3616S参考价格为1.4美元。onsemi FDMS3616S封装/规格：MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A POWER56。您可以下载FDMS3616S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDMS3615S是MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A 8-PQFN，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.003175盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于8-PowerTDFN，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有8-PQFN（5x6），电源56为供应商器件包，配置为双非对称三漏三源，FET类型为2 N通道（双）非对称，最大功率为1W，晶体管类型为2 N-通道，漏极到源极电压Vdss为25V，输入电容Ciss Vds为1765pF@13V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为16A，18A，Rds On最大Id Vgs为5.8mOhm@16A，10V，Vgs th最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为27nC@10V，Pd功耗为2.3W 1 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为1.4 nS 2.2 nS，上升时间为1.7 nS 3 nS，Vgs栅源极电压为20 V，Id连续漏极电流为16 A 18 A，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.7 V，Rds漏极源极电阻为5.8 mOhms 3.4 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19nS24nS，典型接通延迟时间为7.7nS9.5nS，Qg栅极电荷为19nC31nC，正向跨导Min为63S 84S。
FDMS3610S是MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/30A 8-MLP，包括2V@250μA Vgs th Max Id，设计用于1.2 V 1.4 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于12 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，例如25 V，单位重量设计用于0.003175盎司，该器件还可以用作23ns 39ns典型关断延迟时间。此外，晶体管类型为2 N沟道，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有技术硅，供应商器件封装为Power56，系列为PowerTrenchR，上升时间为2 ns 5 ns，Rds On Max Id Vgs为5 mOhm@17.5A，10V，Rds On Drain Source电阻为2.1 mOhms 5.4 mOhms，Qg栅极电荷为26 nC 59 nC，最大功率为1W，Pd功耗为2.2 W 2.5 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-PowerTDFN，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围是-55°C，其最大工作温度范围为+150 C，输入电容Cis-Vds为1570pF@13V，Id连续漏极电流为30 A 60 A，栅极电荷Qg-Vgs为26nC@10V，正向跨导最小值为100 S 240 S，FET类型为2 N沟道（双）不对称，FET特性为逻辑电平门，下降时间为2 ns 4 ns，漏极到源极电压Vdss为25V，25°C的电流连续漏极Id为17.5A、30A，配置为双通道，通道模式为增强型。
FDMS36101L_F085，带有电路图，包括单组态，它们设计为在3 ns下降时间下工作，数据表注释中显示了用于38 a的Id连续漏极电流，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为Power-56-8，器件采用卷筒封装，器件具有94 W的Pd功耗，Qg栅极电荷为70 nC，Rds漏极-源极电阻为18 mOhms，上升时间为7 ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、典型关断延迟时间为15 ns，并且典型的接通延迟时间为45ns，单位重量为0.006095oz，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.84V。
