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NTMFD6H852NLT1G

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 295毫安 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1500

数量 单价 合计
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 80V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5nC @ 4.5V
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.6欧姆@500毫安,10V
  • 供应商设备包装 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 295毫安
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 20V时为26皮法
  • 最大功率 250mW(Ta)

NTMFD6H852NLT1G 产品详情

NTMFD6H852NLT1G所属分类:场效应晶体管阵列,NTMFD6H852NLT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTMFD6H852NLT1G价格参考¥5.549148,你可以下载 NTMFD6H852NLT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTMFD6H852NLT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

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