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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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操作
USB10H
USB10H
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.9A 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.59104

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.59104

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FDW2601NZ
FDW2601NZ
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.2A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.71997

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.71997

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FDMC7200S
FDMC7200S
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A, 13A 供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.24290

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.24290

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SSD2007ATF
SSD2007ATF
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 50V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.66539

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.66539

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MMDF2C03HDR2
MMDF2C03HDR2
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.1A, 3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.93003

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.93003

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SSD2007ASTF
SSD2007ASTF
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 50V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.88219

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.88219

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MMDF2P02HDR2
MMDF2P02HDR2
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥349.80310

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥349.80310

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FDG6317NZ
FDG6317NZ
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 700毫安 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.62145

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.62145

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EFC8811R-TF
EFC8811R-TF
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门,2.5V驱动 供应商设备包装: 6-CSP (1.77x3.54) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥7.82233

721

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.82233

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HUFA76404DK8T
HUFA76404DK8T
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 62V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.66491

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.66491

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MMDF3N03HDR2
MMDF3N03HDR2
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.1A 供应商设备包装: 8-SOIC

¥1.80783

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,811.44366

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FDW2501N
FDW2501N
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.61953

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.61953

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NTMFD020N06CT1G
NTMFD020N06CT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta), 27A (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.70622

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,059.32850

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MMDF3N04HDR2
MMDF3N04HDR2
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A 供应商设备包装: 8-SOIC

¥16.84699

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.84699

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FDW2503N
FDW2503N
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥61.33867

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥61.33867

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NVMFWD020N06CT1G
NVMFWD020N06CT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta), 27A (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.73157

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,097.35350

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MMDF1N05ER2
MMDF1N05ER2
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 50V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A 供应商设备包装: 8-SOIC

¥772.94780

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥772.94780

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HUFA76504DK8T
HUFA76504DK8T
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 80V 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.68956

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.68956

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FDW2504P
FDW2504P
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.12414

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.12414

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FQS4900TF
FQS4900TF
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V, 300V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A、300毫安 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.85832

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥14,574.96000

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