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FQS4900TF
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FQS4900TF

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V, 300V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A、300毫安 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3000

数量 单价 合计
3000+ 4.85832 14574.96000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥4.85832
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥14,574.96
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 场效应管特性 标准
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 最大功率 2W
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 漏源电压标 (Vdss) 60V, 300V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1.3A、300毫安
  • 导通电阻 Rds(ON) 550毫欧姆 @ 650毫安, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.95V@20毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2.1nC@5V

FQS4900TF 产品详情

这些双N沟道和P沟道增强型功率场效应晶体管是使用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术生产的。这种先进的技术经过特别定制,可最大限度地减少导通电阻,提供优异的开关性能,并在雪崩和通信模式下承受高能量脉冲。该设备非常适合电话机的高接口。

特色

  • N信道1.3 A,60 VRDS(ON)=0.55Ω@VGS=10 V RDS(ON)=0.65Ω@VGS=5 V
  • P通道-0.3 A,-300 VRDS(ON)=15.5Ω@VGS=-10 V RDS(ON)=16Ω@VGS=-5 V
  • 低栅极电荷(典型N沟道1.6nC)         (典型P通道3.6 nC)
  • 快速切换速度
  • 改进的dv/dt能力

应用

  • 高接口
  • 电话机
FQS4900TF所属分类:场效应晶体管阵列,FQS4900TF 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FQS4900TF价格参考¥4.858320,你可以下载 FQS4900TF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FQS4900TF规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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