MMDF2P02HDR2

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MMDF2P02ER2G是MOSFET 2P-CH 25V 2.5A 8SOIC，它们设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装型功能。此外，漏极到源极电压Vdss为25V，该器件提供475pF@16V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为2.5A，最大Id Vgs的Rds为250 mOhm@2A，10V，Vgs th最大Id为3V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为15nC@10V。

MMDF2P02ER2是ON公司制造的MOSFET 2P-CH 25V 2.5A 8SOIC。MMDF2P02 ER2采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET 2P-CH 25W 2.5A 8SOIC。

MMDF2P02HD，带有ON制造的电路图。MMDF2P02 HD在SOP8封装中提供，是FET阵列的一部分。