品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.92A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.44858 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,200.39302 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（双通道）不对称 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Ta）、56A（Tc）、25A（Ta 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.11820 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15,354.58500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏、8伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安, 775毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.33173 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.33173 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta), 19A (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.33621 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,004.31050 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥310.44518 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥310.44518 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta）、42A（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8.54662 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.54662 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4,088.87779 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,088.87779 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A、10A 供应商设备包装: TO-252（DPak） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.73494 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.73494 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SOIC | ¥878.27405 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥878.27405 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CHANNEL 8MLP | ¥324.53986 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥324.53986 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CHANNEL POWER56 | ¥15.00729 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.00729 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（双通道）不对称 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Ta）、24A（Tc）、18A（Ta 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.54422 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.54422 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥141.41038 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥141.41038 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A（Ta） 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥15.23906 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.23906 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（双通道）不对称 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.5A，25A 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.66107 | 558 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.66107 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.14246 | 2905 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.14246 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: N和P通道互补 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 700毫安 (Ta), 600毫安 (Ta) 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥15.32598 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.32598 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.1A (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.31245 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.31245 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta）、2A（Ta） 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥9.57511 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.57511 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | NTJD4158C - COMPLEMENTARY SMALL | ¥11.05267 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.05267 | 添加到BOM 立即询价 |