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FDS8949是MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2信道数量的信道，器件具有供应商器件封装的8-SO，配置为双双漏极，FET类型为2 N信道（双），功率最大值为2W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为955pF@20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6A，最大Id Vgs上的Rds为29mOhm@6A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为11nC@5V，Pd功耗为2W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为3 ns，上升时间为5 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为6 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，漏极-漏极电阻为21 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23ns，典型接通延迟时间为9ns，正向跨导最小值为22S，信道模式为增强。
FDS8947A-NL，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FDS8947A-NL在SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
FDS8947-NL，电路图由30000FAIRCHILD制造。FDS8947-NL采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
