9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDG6332C-PG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDG6332C-PG参考价格为2.116美元。onsemi FDG6332C-PG封装/规格：MOSFET N P-CH 20V SC70-6。您可以下载FDG6332C-PG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDG6332C是MOSFET N/P-CH 20V SC70-6，包括PowerTrenchR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起工作。数据表注释中显示了用于FDG6332C_NL的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.000988盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及6-TSSOP、SC-88、SOT-363包装箱，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商设备包为SC-70-6，配置为1个N通道1个P通道，FET类型为N和P通道，最大功率为300mW，晶体管类型为1 N沟道1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为113pF@10V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为700mA、600mA，最大Id Vgs的Rds为300mOhm@700mA、4.5V，Vgs的最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为1.5nC@4.5V，Pd功耗为300mW，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为7ns 14ns，上升时间为7ns14ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为700mA，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds漏极源极电阻为300mOhms，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为9ns 6ns，典型接通延迟时间为5ns 5.5ns，正向跨导最小值为2.8S 1.8S，沟道模式为增强。
FDG6331L-NL是集成电路负载开关INT 8V SC70-6，包括不需要的电源Vcc Vdd，它们设计用于2.5 V~8 V电压负载，单位重量如数据表注释所示，用于0.000988 oz，提供开关类型功能，如通用，电源电压最小值设计用于2.5 V，以及8 V电源电压最大值，该设备也可以用作SC-70-6供应商设备包。此外，Rds On Typ为155 mOhm，该设备在1899/12/30 1:01:00比率输入：输出中提供，该设备具有0.3 W的Pd功耗，部件号别名为FDG6331L_NL，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为6-TSSOP、SC-88、SOT-363，输出类型为P通道，输出电流为800 mA，输出配置为高端，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），工作电源电压为2.5 V至8 V，导通电阻最大值为400 mOhms，输出数量为1，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围-55 C，最大工作温度范围+150 C，接口为开/关，输入类型为非反相，最大电流输出为800mA。
FDG6326P，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDG6326P采用SC70-6封装，是IC芯片的一部分。
