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FDFS6N548是MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC，包括卷轴封装，它们设计为以0.006596 oz的单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如SOIC窄-8，技术设计为在Si中工作，以及1通道数的通道，该器件也可以作为具有肖特基二极管配置的单体使用。此外，晶体管类型为1N沟道，该器件具有2W Pd功耗，其最高工作温度范围为+150 C，最低工作温度范围是-55 C，下降时间为2 ns，上升时间为2纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为7 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，并且Rds导通漏极-源极电阻为23mOhms，并且晶体管极性为N沟道，并且典型关断延迟时间为14ns，并且典型导通延迟时间为6ns，并且正向跨导最小值为20S，并且沟道模式为增强。
FDFS6N754是MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.006596 oz，提供典型的导通延迟时间功能，如6 ns，典型的关断延迟时间设计为在20 ns内工作，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管的极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为8ns，器件的漏极-源极电阻为42mOhms，Pd功耗为2W，封装为卷轴，封装盒为SOIC-Narrow-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏极电流为4 A，正向跨导最小值为10 S，下降时间为2 ns，配置为带肖特基二极管的单一，通道模式为增强。
FDFS7079ZN3，电路图由FAIRCHILD制造。FDFS7079ZN3有FLMT-8封装，是IC芯片的一部分。
