9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDD8426H，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FDD8426H参考价格$1.206。onsemi FDD8426H封装/规格：MOSFET N/P-CH 40V 12A/10A DPAK。您可以下载FDD8426H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDD8424H是MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-5、DPAK（4引线+接线片）、to-252AD以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-252-4L，配置为双公共漏极，FET类型为N和P通道，最大功率为1.3W，晶体管类型为1 N通道1 P通道，漏极到源极电压Vdss为40V，输入电容Ciss Vds为1000pF@20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为9A，6.5A，Rds On最大Id Vgs为24mOhm@9A，10V，Vgs th最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为20nC@10V，Pd功耗为3.1W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为6 ns 3 ns，上升时间为13 ns 3 ns；Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为9 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Rds漏极源极电阻为24 mΩ，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为17 ns 20 ns，典型的导通延迟时间为7ns，正向跨导最小值为29S，信道模式为增强。
FDD8424H_F085，带有用户指南，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与4-DPAK供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于PowerTrenchR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如24 mOhm@9A、10V，Power Max设计为1.3W，以及Digi-ReelR封装，该设备也可以用作to-252-5，DPak（4引线+接线片），TO-252AD封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1000pF@20V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为20nC@10V，FET类型为N和P通道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为40V，25°C的电流连续漏电流Id为9A，6.5A。
带有电路图的FDD8424H_F085A，包括9A、6.5A电流连续漏极Id 25°C，设计用于40V漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供N和P通道等FET类型特性，栅极电荷Qg Vgs设计用于20nC@10V，以及1000pF@20V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备提供TO-252-5、DPak（4引线+接线片）、TO-252AD封装盒，该设备有一个封装管，最大功率为1.3W，Rds On Max Id Vgs为24 mOhm@9A、10V，系列为PowerTrenchR，供应商设备封装为TO-252-5，Vgsth最大Id为3V@250μA。
