特色
- 带外露排水垫的UDFN封装
- 优异的导热性
- 低RDS（打开）
- 提高效率
- 薄型UDFN 2.0x2.0x0.55 mm封装
- 节省的板空间
- 符合RoHS
应用
- 高压侧负载开关
- 反向电流保护
- 蓄电池开关
- 针对便携式产品的电源管理应用进行了优化
- 便携式产品，如手机、PMP、DSC、GPS等
（图片：引出线）
NTLUD3A50PZTAGHW
- 描述:场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A（Ta） 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥15.23906
-
数量:
- +
- 总计: ¥15.24
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 2个P通道（双通道）
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
- 部件状态 过时的
- 场效应管特性 标准
- 供应商设备包装 6-UDFN (2x2)
- 包装/外壳 6-UDFN Exposed Pad
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 920皮法@15V
- 最大功率 500mW (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 50毫欧姆 @ 4A, 4.5V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10.4nC@4.5V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2.8A（Ta）
NTLUD3A50PZTAGHW 产品详情
功率MOSFET−20 V，−5.6 A，µCool™ 双P−通道，2.0x2.0x0.55 mm UDFN封装
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 | NTLUD3A50PZTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.59104 |
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NTLUD3A50PZTAGHW所属分类：场效应晶体管阵列，NTLUD3A50PZTAGHW 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTLUD3A50PZTAGHW价格参考￥15.239062，你可以下载 NTLUD3A50PZTAGHW中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTLUD3A50PZTAGHW规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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