9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTMFD4C86NT3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTMFD4C86NT3G参考价格为2.37000美元。onsemi NTMFD4C86NT3G封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 11.3/18.1A 8DFN。您可以下载NTMFD4C86NT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NTMFD4C85NT3G，带引脚细节，包括胶带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计为与8-PowerTDFN包装箱一起操作，数据表说明中显示了用于Si的技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计为表面安装，以及8-DFN（5x6）供应商设备包，该器件也可以用作2N沟道（双）非对称FET型。此外，功率最大值为1.13W，该器件提供30V漏极到源极电压Vdss，该器件具有1960pF@15V输入电容Cis-Vds，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为15.4A、29.7A，Rds On Max Id Vgs为3mOhm@20A、10V，Vgs th Max Id为2.1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为32nC@10V。
带有用户指南的NTMFD4C85NT1G，包括2.1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为使用Si技术操作，数据表说明中显示了用于8-DFN（5x6）的供应商设备包，其提供Rds on Max Id Vgs功能，如3 mOhm@20A、10V，Power Max设计为1.13W，以及Digi-ReelR备用封装，该器件也可以用作8功率TDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有1960pF@15V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg Vgs为32nC@10V，FET类型为2 N通道（双）不对称，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C的电流连续漏电流Id为15.4A，29.7A。
带有电路图的NTMFD4C50NT3G，包括卷筒包装，设计用于NTMFD4C5 0N系列，数据表注释中显示了用于Si的技术。
