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FDG6318PZ

  • 描述:场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥15.74607
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥15.75
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 2个P通道(双通道)
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 部件状态 过时的
  • 最大功率 300mW
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 供应商设备包装 SC-88(SC-70-6)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 500毫安
  • 导通电阻 Rds(ON) 780毫欧姆 @ 500毫安, 4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.62nC@4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 85.4皮法 @ 10V

FDG6318PZ 产品详情

这些双P沟道逻辑电平增强型MOSFET是使用特别定制的以最小化导通电阻而生产的。该器件专为双极数字晶体管和小信号MOSFET设计

特色

  • -0.5A,-20V
  • RDS(ON)=780 mΩ@VGS=-4.5V
  • RDS(ON)=1200 mΩ@VGS=-2.5V
  • 极低水平的栅极驱动要求,允许在3V电路中直接操作(VGS(TH)<1.5V)。
  • 用于ESD耐用性的栅源齐纳(>1.4kV人体模型)。
  • 紧凑型行业标准SC-70-6表面安装封装。

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDG6318PZ所属分类:场效应晶体管阵列,FDG6318PZ 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDG6318PZ价格参考¥15.746065,你可以下载 FDG6318PZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDG6318PZ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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