9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDMB3900N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDMB3900N价格参考19.568美元。onsemi FDMB3900N包装/规格：集成电路。您可以下载FDMB3900N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDMB3800N是MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001658盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于8-PowerWDFN，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2信道数量的信道，该器件具有8-MLP，MicroFET（3x1.9）供应商器件封装，配置为双双漏极，FET类型为2 N信道（双），最大功率为750mW，晶体管类型为2 N-信道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为465pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.8A，最大Id Vgs上的Rds为40mOhm@4.8A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为5.6nC@5V，Pd功耗为1.6W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为5纳秒，上升时间为5 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为4.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds导通漏极-漏极电阻为32毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21纳秒，典型的接通延迟时间为8ns，正向跨导最小值为14S，信道模式为增强。
FDMB3900AN是MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在25 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000002盎司，提供晶体管类型功能，如2 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作8-MLP、MicroFET（3x1.9）供应商器件包。此外，该系列为PowerTrenchR，该器件提供23 mOhm@7A，10V Rds On Max Id Vgs，该器件具有23 mOhms Rds On Drain Source电阻，最大功率为800mW，Pd功耗为1.6W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-PowerWDFN，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Ciss Vds为890pF@13V，Id连续漏极电流为7 A，栅极电荷Qg Vgs为17nC@10V，FET类型为2 N通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为25V，电流连续漏极Id 25°C为7A，配置为双通道，通道模式为增强型。
FDMB3900AN-D，带有ON制造的电路图。FDMB3900AN-D采用8-MLP封装，是IC芯片的一部分。
