起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.01545 | 1.01545 |
| 100+ | 0.94954 | 94.95440 |
| 1000+ | 0.87783 | 877.83900 |
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NTJD1155L是双沟道MOSFET。该MOSFET具有P沟道和N沟道的特点，可用于低控制信号、低电池电压和高负载电流。N沟道具有内部ESD保护，可由低至1.5V的逻辑信号驱动，而P沟道设计用于负载切换应用。P沟道也采用ON半导体的沟槽技术设计。
（图片：引出线）
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTUD3174NZT5G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安（Ta） 供应商设备包装: SOT-963 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.85274 |
 | NTUD3171PZT5G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安 供应商设备包装: SOT-963 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.66587 |
| NTUD3169CZT5G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安、200毫安 供应商设备包装: SOT-963 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.01546 |
 | NTUD3170NZT5G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安 供应商设备包装: SOT-963 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.92878 |
 | NTUD3127CT5G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 160毫安、140毫安 供应商设备包装: SOT-963 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.17287 |
| NTUD3128NT5G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 160毫安 供应商设备包装: SOT-963 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.39016 |
| NTUD3129PT5G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 140毫安 供应商设备包装: SOT-963 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.17287 |
 | NTU-1200-148US | 明纬 (MEAN WELL) | 种类: 逆变器、UPS 持续输出功率: 1200瓦 输出浪涌功率: 2000瓦 输入电压: 48VDC 输出电压: 110VAC 安装类别: 表面安装 | ¥2,410.65441 |
 | NTU-1200-224EU | 明纬 (MEAN WELL) | 种类: 逆变器、UPS 持续输出功率: 1200瓦 输出浪涌功率: 2000瓦 输入电压: 24伏直流电 输出电压: 230VAC 安装类别: 表面安装 | ¥2,410.65441 |
| NTU-TB | 菲力尔.艾示科 (FLIR Extech) | NTU STANDARD SOLUTIONS (O NTU, 1 | ¥217.21457 |
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
