9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTUD3174NZT5G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTUD3174NZT5G参考价格0.67000美元。onsemi NTUD3174NZT5G封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 220MA SOT963。您可以下载NTUD3174NZT5G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTUD3169CZT5G是MOSFET N/P-CH 20V SOT-963，包括NTUD3169CZ系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，安装方式如SMD/SMT中的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如SOT-963，技术设计用于硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该设备在SOT-963供应商设备包中提供，该设备具有N信道P信道配置，FET类型为N和P信道，最大功率为125mW，晶体管类型为1 N信道1 P信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为12.5pF@15V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为220mA、200mA，最大Id Vgs的Rds为1.5Ohm@100mA、4.5V，Vgs的最大Id为1V@250μA，Pd功耗为200mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为80 ns 145 ns，上升时间为25.5和46纳秒，Vgs栅极-源极电压为8伏特，Id连续漏极电流为220毫安，Vds漏极-源极击穿电压为20伏特，Rds导通漏极-漏极电阻为1.5欧姆5欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为142纳秒196纳秒，典型接通延迟时间为16.5纳秒26纳秒，前向跨导Min为0.48S 0.35S，信道模式为增强。
NTUD3170NZT5G是MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT-963，包括1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于8 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供典型的开启延迟时间功能，如16.5 ns，典型的关闭延迟时间设计为142 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件采用SOT-963供应商器件包提供，该器件具有NTUD3170NZ系列，上升时间为25.5 nd，Rds On Max Id Vgs为1.5 Ohm@100mA，4.5V，Rds On Drain Source Resistance为2.8 Ohm，功率最大值为125mW，Pd功耗为200mW，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为SOT-963，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-55℃，最大工作温度范围+150℃，输入电容Cis-Vds为12.5pF@15V，Id连续漏极电流为220 mA，正向跨导最小值为0.48 S，FET类型为2 N通道（双通道），FET特性为逻辑电平门，下降时间为80 ns，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为220mA，配置为双通道，通道模式为增强型。
NTUD171PZT5G是MOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT-963，包括200mA电流连续漏极Id 25°C，设计用于20V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），输入电容Cis-Vds设计用于13.5pF@15V，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，包装箱为SOT-963，设备采用磁带和卷轴（TR）包装，设备最大功率为125mW，Rds On Max Id Vgs为5 Ohm@100mA，4.5V，供应商设备包装为SOT--963，Vgs th Max Id为1V@250μa。
