特色
- 双N沟道MOSFET
- 简易电路布局
- 在超小型1.0 x 1.0 mm封装中提供低RDS（开启）解决方案
- 提高系统效率
- 1.5 V栅极电压额定值
- 在低压栅极驱动逻辑电平下工作
- 超薄型材（<0.5mm）
- 可轻松适应极薄环境，如便携式电子设备
应用
- 通用接口开关
- 针对超便携设备中的电源管理进行了优化
- 模拟开关
- 手机、PMP、DSC、GPS、笔记本电脑和其他便携式设备
NTUD3170NZT5G
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安 供应商设备包装: SOT-963 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.92878 | 1.92878 |
| 59+ | 1.82665 | 107.77288 |
| 100+ | 1.72453 | 172.45340 |
- 库存: 100
- 单价: ¥1.92878
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.93
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
- 包装/外壳 SOT-963
- 供应商设备包装 SOT-963
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 导通电阻 Rds(ON) 100毫安时1.5欧姆，4.5伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 220毫安
- 最大功率 125毫瓦
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 12.5皮法@15V
NTUD3170NZT5G 产品详情
这是一个20 V双N沟道功率MOSFET。
NTUD3170NZT5G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTUD3174NZT5G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安（Ta） 供应商设备包装: SOT-963 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.85274 |
 | NTUD3171PZT5G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安 供应商设备包装: SOT-963 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.66587 |
 | NTUD3169CZT5G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安、200毫安 供应商设备包装: SOT-963 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.01546 |
| NTUD3170NZT5G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安 供应商设备包装: SOT-963 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.92878 |
 | NTUD3127CT5G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 160毫安、140毫安 供应商设备包装: SOT-963 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.17287 |
| NTUD3128NT5G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 160毫安 供应商设备包装: SOT-963 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.39016 |
| NTUD3129PT5G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 140毫安 供应商设备包装: SOT-963 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.17287 |
 | NTU-1200-148US | 明纬 (MEAN WELL) | 种类: 逆变器、UPS 持续输出功率: 1200瓦 输出浪涌功率: 2000瓦 输入电压: 48VDC 输出电压: 110VAC 安装类别: 表面安装 | ¥2,410.65441 |
 | NTU-1200-224EU | 明纬 (MEAN WELL) | 种类: 逆变器、UPS 持续输出功率: 1200瓦 输出浪涌功率: 2000瓦 输入电压: 24伏直流电 输出电压: 230VAC 安装类别: 表面安装 | ¥2,410.65441 |
| NTU-TB | 菲力尔.艾示科 (FLIR Extech) | NTU STANDARD SOLUTIONS (O NTU, 1 | ¥217.21457 |
NTUD3170NZT5G所属分类：场效应晶体管阵列，NTUD3170NZT5G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTUD3170NZT5G价格参考￥1.928784，你可以下载 NTUD3170NZT5G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTUD3170NZT5G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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