NTJD1155L是双沟道MOSFET。该MOSFET具有P沟道和N沟道的特点,可用于低控制信号、低电池电压和高负载电流。N沟道具有内部ESD保护,可由低至1.5V的逻辑信号驱动,而P沟道设计用于负载切换应用。P沟道也采用ON半导体的沟槽技术设计。
特色
- 包含N沟道和P沟道MOSFET
- 1.8V驱动器
- 保护二极管输入
- 低导通电阻
- 高速切换
- 实现高密度安装
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 6.73589 | 6.73589 |
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NTJD1155L是双沟道MOSFET。该MOSFET具有P沟道和N沟道的特点,可用于低控制信号、低电池电压和高负载电流。N沟道具有内部ESD保护,可由低至1.5V的逻辑信号驱动,而P沟道设计用于负载切换应用。P沟道也采用ON半导体的沟槽技术设计。
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