9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTZD3156CT1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTZD3156CT1G参考价格为0.10000美元。onsemi NTZD3156CT1G封装/规格：MOSFET N/P-CH 20V SOT-563。您可以下载NTZD3156CT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTZD3155CT2G是MOSFET N/P-CH 20V SOT-563，包括NTZD3155C系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000289盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SOT-563、SOT-666以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2信道数量的信道，该器件具有供应商设备包的SOT-563，配置为N信道P信道，FET类型为N和P信道，最大功率为250mW，晶体管类型为1 N信道1 P信道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为150pF@16V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为540mA、430mA，最大Id Vgs为550mOhm@540mA、4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为2.5nC@4.5V，Pd功耗为250mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为8 ns 19 ns，上升时间为4 ns 12 ns，Vgs栅极-源极电压为6 V，Id连续漏极电流为540 mA-430 mA，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Vgs栅-源极阈值电压为1 V，Rds漏极源极电阻为1欧姆，并且晶体管极性是N沟道P沟道，并且典型关断延迟时间是16ns 35ns，并且典型接通延迟时间是6ns 10ns，并且Qg栅极电荷是1.5nC 1.7nC，并且正向跨导Min是1S，并且沟道模式是增强。
NTZD3155CT1H是MOSFET N/P-CH 20V SOT563，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000289盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道1 P沟道，晶体管极性设计为在N沟道P沟道中工作，以及Si技术，该设备也可以用作SOT-563-6供应商设备包。此外，该系列为NTZD3155C，该器件提供550 mOhm@540mA，4.5V Rds On Max Id Vgs，该器件具有550 mOhms 900 mOhms Rds On Drain Source电阻，最大功率为250mW，封装为磁带和卷轴（TR），封装外壳为SOT-563、SOT-666，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，输入电容Ciss Vds为150pF@16V，Id连续漏极电流为540 mA-430 mA，栅极电荷Qg Vgs为2.5nC@4.5V，FET类型为N和P通道，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为540mA、430mA，并且配置是N信道P信道。
NTZD3155CT5G是MOSFET N/P-CH 20V SOT-563，包括540mA、430mA电流连续漏极Id 25°C，设计用于20V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供了N和P通道等FET类型特性，栅极电荷Qg Vgs设计用于2.5nC@4.5V，除了150pF@16V输入电容Ciss Vds外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用SOT-563、SOT-666封装盒，该器件具有磁带和卷轴（TR）交替封装，最大功率为250mW，最大Id Vgs的Rds为550 mOhm@540mA，4.5V，供应商设备包为SOT-563，Vgs th Max Id为1V@250μA。
