特色
- 领先的Trench技术可实现低RDS（on）性能
- 高效系统性能
- 低阈值电压
- ESD保护门
- 小尺寸1.6 x 1.6 mm
- 符合RoHS
应用
- DC-DC转换电路
- 带电平转换的负载/功率切换
- 单电池或双电池锂离子电池操作系统
- 高速电路
- 手机
- MP3
- 数码相机
- PDA
（图片：引出线）
NTZD3155CT2G
- 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 540毫安, 430毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 4000+ | 0.73520 | 2940.82000 |
- 库存: 12000
- 单价: ¥1.78103
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.78
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 N和P通道
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 包装/外壳 SOT-563、SOT-66
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
- 导通电阻 Rds(ON) 550毫欧姆 @ 540毫安, 4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 150皮法@16V
- 供应商设备包装 SOT-563
- 漏源电流 (Id) @ 温度 540毫安, 430毫安
- 最大功率 250mW
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V
NTZD3155CT2G 产品详情
小信号MOSFET互补20 V，540 mA/−430 mA，带ESD保护，SOT−563封装。
NTZD3155CT2G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | NTZD3154NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 540毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.37036 |
| NTZD3155CT2G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 540毫安, 430毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.78103 |
 | NTZD3152PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 430毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.95099 |
 | NTZD3154NT5G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 540毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.69388 |
 | NTZD5110NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 294毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.96959 |
 | NTZD3156CT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 540毫安, 430毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.72429 |
 | NTZD3156CT2G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 540毫安, 430毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.72093 |
 | NTZD3156CT5G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 540毫安, 430毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.05315 |
 | NTZD3155CT1G | 台舟 (TECH PUBLIC) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 540毫安, 430毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.84549 |
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NTZD3155CT2G所属分类：场效应晶体管阵列，NTZD3155CT2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTZD3155CT2G价格参考￥1.781029，你可以下载 NTZD3155CT2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTZD3155CT2G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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