9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTZD3156CT5G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTZD3156CT5G价格参考1.388美元。onsemi NTZD3156CT5G封装/规格：MOSFET N/P-CH 20V SOT-563。您可以下载NTZD3156CT5G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTZD3155CT5G是MOSFET N/P-CH 20V SOT-563，包括磁带和卷轴（TR）交替封装，它们设计用于SOT-563、SOT-666封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SOT 563，以及N和P通道FET类型，该器件还可以用作250mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供150pF@16V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为540mA、430mA，最大Id Vgs为550mOhm@540mA、4.5V，Vgs最大Id为1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为2.5nC@4.5V。
NTZD3156CT1G是MOSFET N/P-CH 20V SOT-563，包括1V@250μA Vgs和最大Id，它们设计用于SOT-5630供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于550 mOhm@540mA、4.5V，提供功率最大特性，如250mW，封装设计用于磁带和卷轴（TR），以及SOT-563、SOT-666封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供72pF@16V输入电容Cis Vds，该器件具有2.5nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为N和P通道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C电流连续漏极Id为540mA、430mA。
NTZD3156CT2G是MOSFET N/P-CH 20V SOT-563，包括540mA、430mA电流连续漏极Id 25°C，设计用于20V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，提供了N和P通道等FET类型特性，栅极电荷Qg Vgs设计用于2.5nC@4.5V，除了72pF@16V输入电容Cis Vds，该设备还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备采用SOT-563、SOT-666封装盒，该设备具有封装带和卷盘（TR），最大功率为250mW，最大Id Vgs上的Rds为550 mOhm@540mA，4.5V，供应商设备封装为SOT-563，Vgsth最大Id为1V@250μA。
