起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.84549 | 1.84549 |
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NTJD1155L是双沟道MOSFET。该MOSFET具有P沟道和N沟道的特点，可用于低控制信号、低电池电压和高负载电流。N沟道具有内部ESD保护，可由低至1.5V的逻辑信号驱动，而P沟道设计用于负载切换应用。P沟道也采用ON半导体的沟槽技术设计。
（图片：引出线）
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTZD3154NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 540毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.37036 |
 | NTZD3155CT2G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 540毫安, 430毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.78103 |
 | NTZD3152PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 430毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.95099 |
 | NTZD3154NT5G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 540毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.69388 |
 | NTZD5110NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 294毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.96959 |
 | NTZD3156CT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 540毫安, 430毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.72429 |
 | NTZD3156CT2G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 540毫安, 430毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.72093 |
 | NTZD3156CT5G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 540毫安, 430毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.05315 |
| NTZD3155CT1G | 台舟 (TECH PUBLIC) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 540毫安, 430毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.84549 |
 | NTZD3152PT1H | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 430毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.57943 |
台舟电子股份有限公司是2009年建立,公司的精英设计团队均来自于国内外知名企业，团队主管曾任职于美国硅谷著名IC设计龙头公司，担任技术高层岗位超过15年，核心成员均有10年以上设计经验。 台...
