特色
- N通道5.5A，最大30V。RDS（开启）=30 mΩ（VGS=4.5 V时），最大RDS（开启时）=38 mΩ（VGA=2.5 V时）
- P通道-4A，-20V最大值。RDS（开启）=55 mΩ，VGS=-4.5 VMax。RDS（开启）=72 mΩ，VGS=-2.5 V
- 用于极低RDS（ON）的高密度电池设计
- 广泛使用的表面贴装封装具有高功率和电流处理能力
- 表面安装封装中的双（N和P沟道）MOSFET
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDS8928A
- 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30V, 20V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A, 4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
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- 库存: 9000
- 单价: ¥12.70405
-
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- +
- 总计: ¥12.70
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 N和P通道
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
- 部件状态 过时的
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 最大功率 900mW
- 漏源电压标 (Vdss) 30V, 20V
- 导通电阻 Rds(ON) 30毫欧姆 @ 5.5A, 4.5V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 28nC@4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 900皮法 @ 10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 5.5A, 4A
FDS8928A 产品详情
这些双N沟道和P沟道增强型功率场效应晶体管使用专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺特别适合于最小化导通电阻并提供优异的开关性能。这些设备特别适用于低电压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，其中需要快速切换、低在线功耗和抗瞬变。
FDS8928A 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDS-312 | 乔纳德 (Jonard Tools) | FIBER DROP CABLE STRIPPER (3.1MM | ¥202.43906 |
 | FDSM012P2 | 百通 (Belden) | FD M_D OS2 12F OFNP SU_3. | ¥4.92517 |
| FDSY006RF | 百通 (Belden) | FD TO_CPE OS2 6F OFNR | ¥22.09085 |
| FDST012RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OS2 12F OFNR | ¥23.39457 |
| FDSY008RF | 百通 (Belden) | FD OS2 TO_CPE 8F OFNR | ¥24.481 |
| FDST036RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OS2 36F OFNR | ¥39.03923 |
| FDSM006P2 | 百通 (Belden) | FD MD_LT OS2 6F OFNP NON_UNI | ¥2.35438 |
| FDSB006LB | 百通 (Belden) | FD BO OS2 6F LSZH SU_2.0 | ¥17.02082 |
| FDST004RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OS2 4F OFNR | ¥17.2381 |
| FDST024RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OS2 24F OFNR | ¥31.14447 |
FDS8928A所属分类：场效应晶体管阵列，FDS8928A 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDS8928A价格参考￥12.704047，你可以下载 FDS8928A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDS8928A规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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