特色
- 消除PCB布线的公共源配置
- 包装底部的大型源垫可增强散热效果
- 屏蔽栅MOSFET技术
- VGS=10 V，ID=10 A时，最大rDS（开）=10.5 mΩ
- VGS=6 V，ID=7.8 A时，最大rDS（开）=17.3 mΩ
- 适用于二次侧同步整流的灵活布局
- 终端为无铅且符合RoHS
- 100%UIL测试
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDMD8630
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 38A (Ta), 167A (Tc) 供应商设备包装: 8-Power 5x6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 3000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 3000+ | 28.51891 | 85556.75700 |
- 库存: 0
- 单价: ¥28.51892
-
数量:
- +
- 总计: ¥85,556.76
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管特性 标准
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 包装/外壳 8-PowerWDFN
- 供应商设备包装 8-Power 5x6
- 漏源电流 (Id) @ 温度 38A (Ta), 167A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 1毫欧姆@38A，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 142nC @ 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 9930皮法@15V
- 最大功率 2.3W（Ta）、43W（Tc）
FDMD8630 产品详情
该封装集成了两个内部连接的N沟道器件，并采用了屏蔽门技术。这实现了非常低的封装寄生和到底部公共源极焊盘的优化热路径。提供非常小的占地面积（5 x 6 mm）以实现更高的功率密度。
FDMD8630 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDMS8350L | FDMS8350L - N-CHANNEL POWERTRENC | ¥18.45513 | |
| FDMS86252L | FDMS86252 - N-CHANNEL SHIELDED G | ¥5.49287 | |
| FDMS8350LET40 | FDMS8350LET40 - N-CHANNEL POWERT | ¥14.31219 | |
| FDMS86104 | N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE | ¥7.81299 | |
| FDMS3672 | FDMS3672 - N-CHANNEL ULTRAFET TR | ¥8.85082 | |
 | FDMA6676PZ | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 2.4W（Ta） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.78041 |
 | FDMS86568-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W（Tj） 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.80017 |
 | FDMS8558S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta), 90A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、78W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.59209 |
 | FDMS9410L-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥166.47081 |
| FDMS2D4N03S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 163A（Tc） 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.60601 |
FDMD8630所属分类：场效应晶体管阵列，FDMD8630 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDMD8630价格参考￥28.518919，你可以下载 FDMD8630中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDMD8630规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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