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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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FDMS7608S
FDMS7608S
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A、15A 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.70549

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.70549

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FDMS7620S
FDMS7620S
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.1A,12.4A 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.70549

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.70549

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CPH3422-TL-E
CPH3422-TL-E
N-CHANNEL MOSFET

¥0.75326

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.53262

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FDS6986AS
FDS6986AS
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A, 7.9A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.09804

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.09804

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NTND31225CZTAG
NTND31225CZTAG
场效应管类型: N和P通道互补 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安(Ta)、127毫安(Ta 供应商设备包装: 6-XLLGA (0.9x0.65) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.75230

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.75230

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2SK3706
2SK3706
POWER MOSFET FOR MOTOR DRIVERS

¥37.08365

82500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,187.93523

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NVMFD5C672NLWFT1G
NVMFD5C672NLWFT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)、49A(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.92277

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.92277

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SI4532DY
SI4532DY
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A, 3.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.38776

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.38776

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FDG6332C
FDG6332C
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 700毫安, 600毫安 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.05602

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.05602

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FDMA1024NZ
FDMA1024NZ
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.38776

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.38776

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NTGD3148NT1G
NTGD3148NT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.18688

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.18688

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3LN04SS-TL-H
3LN04SS-TL-H
N-CHANNEL MOSFET

¥0.28972

6512000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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FDS4935A
FDS4935A
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.46019

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.46019

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FDG6321C
FDG6321C
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安, 410毫安 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.05602

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.05602

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NVMFD5C478NLT1G
NVMFD5C478NLT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.5A(Ta)、29A(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.31533

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.31533

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FDMS1D2N03DSD
FDMS1D2N03DSD
POWERTRENCH POWER CLIP ASYMMETRI

¥8.61905

16964

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,180.61990

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FDMB3800N
FDMB3800N
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.8A 供应商设备包装: 8-MLP, MicroFET (3x1.9) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.89476

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.89476

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NTMFD5C470NLT1G
NTMFD5C470NLT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta)、36A(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.74750

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.74750

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FDPC4044
FDPC4044
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 供应商设备包装: Powerclip-33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥28.10245

81

5-7 工作日

- +

合计: ¥28.10245

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FDS9958
FDS9958
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.96719

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.96719

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