特色
- 低RDS（打开）
- 最小化传导损耗
- 低输入电容
- 最小化开关损耗
- 符合RoHS
应用
- 加载点模块
- 网通、电信
- 服务器
NTMFD5C470NLT1G
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta）、36A（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 22.74270 | 22.74270 |
| 10+ | 20.45395 | 204.53950 |
| 100+ | 16.44065 | 1644.06590 |
| 500+ | 13.50757 | 6753.78700 |
| 1500+ | 12.27961 | 18419.41950 |
- 库存: 0
- 单价: ¥12.74750
-
数量:
- +
- 总计: ¥22.74
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 标准
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 9nC @ 10V
- 包装/外壳 8-PowerTDFN
- 供应商设备包装 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@20A.
- 漏源电流 (Id) @ 温度 11A（Ta）、36A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 11.5毫欧姆@5A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 590皮法 @ 25V
- 最大功率 3W (Ta), 24W (Tc)
NTMFD5C470NLT1G 产品详情
功率MOSFET 100V 104A 8mΩ单N沟道
NTMFD5C470NLT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTMS4N01R2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET PWR N-CHAN 4.2A 20V 8SOIC | ¥1.30372 |
 | NTMD3P03R2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 30V 8SOIC | ¥1.59344 |
 | NTMSD3P303R2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET/DIODE SCHOTTKY P-CH 8SOIC | ¥1.44858 |
 | NTMD6P02R2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC | ¥1.66587 |
 | NTMFS4709NT1G | 安盛美 (onsemi) | NFET S08FL 30V 94A .003R | ¥1.81073 |
| NTMFS5C442NLTWFT1G | 安盛美 (onsemi) | NTMFS5C442NLT - SINGLE N-CHANNEL | ¥6.70548 |
| NTMFS4C13NBT1G | 安盛美 (onsemi) | NTMFS4C13N - MOSFET SO8FL 30V 38 | ¥1.50652 |
| NTMFS5C460NL | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Ta）、78A（Tc） 最大功耗: 3.6W (Ta), 50W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.54902 |
 | NTMFS4C55NT1G | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 30V 78A SO8FL | ¥3.83874 |
 | NTMFS4921NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc) 最大功耗: 870mW (Ta), 38.5W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.86915 |
NTMFD5C470NLT1G所属分类：场效应晶体管阵列，NTMFD5C470NLT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTMFD5C470NLT1G价格参考￥12.747504，你可以下载 NTMFD5C470NLT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTMFD5C470NLT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
