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FDS9958

  • 描述:场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 7.96719 7.96719
10+ 7.13425 71.34257
100+ 5.56327 556.32710
500+ 4.59576 2297.88250
1000+ 3.84815 3848.15300
2500+ 3.84815 9620.38250
  • 库存: 0
  • 单价: ¥7.96719
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    - +
  • 总计: ¥7.97
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 2个P通道(双通道)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 最大功率 900mW
  • 漏源电压标 (Vdss) 60V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.9A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 23nC @ 10V
  • 导通电阻 Rds(ON) 105毫欧姆@2.9A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1020皮法@30V

FDS9958 产品详情

这些P沟道逻辑电平指定的MOSFET是使用先进的PowerTrench®工艺生产的,该工艺经过特别定制,以最小化导通电阻,同时保持低栅极电荷,从而获得优异的开关性能。这些器件非常适合便携式电子应用:负载切换和电源管理、电池充电和保护电路。

特色

  • VGS=-10 V,ID=-2.9 A时,最大rDS(开)=105 mΩ
  • VGS=-4.5 V,ID=-2.5 A时,最大rDS(开)=135 mΩ
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
  • 负载开关
  • 电源管理
FDS9958所属分类:场效应晶体管阵列,FDS9958 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDS9958价格参考¥7.967190,你可以下载 FDS9958中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDS9958规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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