特色
- VGS=10V，ID=4.8A时，最大rDS（开）=40mΩ
- VGS=4.5V，ID=4.3A时，最大rDS（开）=51mΩ
- 快速切换速度
- 低栅极电荷
- 用于极低rDS的高性能沟槽技术（开启）
- 高功率和电流处理能力。
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDMB3800N
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.8A 供应商设备包装: 8-MLP, MicroFET (3x1.9) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 8.90876 | 8.90876 |
| 10+ | 7.95994 | 79.59947 |
| 100+ | 6.20861 | 620.86140 |
| 500+ | 5.12869 | 2564.34850 |
| 1000+ | 4.29431 | 4294.31500 |
| 3000+ | 4.29431 | 12882.94500 |
- 库存: 0
- 单价: ¥7.89476
-
数量:
- +
- 总计: ¥8.91
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4.8A
- 包装/外壳 8-PowerWDFN
- 供应商设备包装 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
- 导通电阻 Rds(ON) 40毫欧姆 @ 4.8A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5.6nC @ 5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 465皮法 @ 15V
- 最大功率 750mW
FDMB3800N 产品详情
这些N沟道逻辑电平MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，该工艺经过特别定制，以最大限度地降低导通电阻，同时保持优异的开关性能。这些器件非常适合低电压和电池供电的应用，其中需要低在线功率损耗和快速开关。
FDMB3800N 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDMS8350L | FDMS8350L - N-CHANNEL POWERTRENC | ¥18.45513 | |
| FDMS86252L | FDMS86252 - N-CHANNEL SHIELDED G | ¥5.49287 | |
| FDMS8350LET40 | FDMS8350LET40 - N-CHANNEL POWERT | ¥14.31219 | |
| FDMS86104 | N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE | ¥7.81299 | |
| FDMS3672 | FDMS3672 - N-CHANNEL ULTRAFET TR | ¥8.85082 | |
 | FDMA6676PZ | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 2.4W（Ta） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.78041 |
 | FDMS86568-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W（Tj） 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.80017 |
 | FDMS8558S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta), 90A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、78W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.59209 |
 | FDMS9410L-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥166.47081 |
| FDMS2D4N03S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 163A（Tc） 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.60601 |
FDMB3800N所属分类：场效应晶体管阵列，FDMB3800N 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDMB3800N价格参考￥7.894761，你可以下载 FDMB3800N中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDMB3800N规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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